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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD1600N10ALZD
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDD1600N10ALZD - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDD1600N10ALZD
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD1600N10ALZD
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Scheda dati
FDD1600N10ALZD.pdf
In magazzino: 4580

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD1600N10ALZD
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDD1600N10ALZD, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDD1600N10ALZD

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-4  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 14.9W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.61 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDD1600N10ALZD

Proprietà del prodotto FDD1600N10ALZD FDD20AN06A0 FDD16AN08A0 FDD18N20LZ
Modello di prodotti FDD1600N10ALZD FDD20AN06A0 FDD16AN08A0 FDD18N20LZ
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 50 V 950 pF @ 25 V 1874 pF @ 25 V 1575 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc) 8A (Ta), 45A (Tc) 9A (Ta), 50A (Tc) 16A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V 20mOhm @ 45A, 10V 16mOhm @ 50A, 10V 125mOhm @ 8A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 6V, 10V 5V, 10V
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.61 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 75 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 14.9W (Tc) 90W (Tc) 135W (Tc) 89W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-4 TO-252, (D-Pak) - TO-252AA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® UltraFET™ UniFET™

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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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