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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDB7042L
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDB7042L - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDB7042L
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDB7042L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FDB7042L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 77690

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDB7042L
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDB7042L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDB7042L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AB  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 83W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2418 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDB7042L

Proprietà del prodotto FDB7042L FDB8160 FDB7030BLS FDB8160
Modello di prodotti FDB7042L FDB8160 FDB7030BLS FDB8160
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 243 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V 243 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250mA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 83W (Ta) 254W (Tc) 60W (Tc) 254W (Tc)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta) 80A (Tc) 60A (Ta) 80A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AB D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-263AB
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 25A, 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2418 pF @ 15 V 11825 pF @ 15 V 1760 pF @ 15 V 11825 pF @ 15 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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