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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDB2570
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDB2570 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDB2570
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDB2570
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FDB2570.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 28926

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDB2570
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDB2570, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDB2570

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 93W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1911 pF @ 75 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDB2570

Proprietà del prodotto FDB2570 FDB2614 FDB2572 FDB2532
Modello di prodotti FDB2570 FDB2614 FDB2572 FDB2532
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 200 V 150 V 150 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta) 62A (Tc) 4A (Ta), 29A (Tc) 8A (Ta), 79A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1911 pF @ 75 V 7230 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 11A, 10V 27mOhm @ 31A, 10V 54mOhm @ 9A, 10V 16mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 93W (Tc) 260W (Tc) 135W (Tc) 310W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 99 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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