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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCP125N60E
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
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FCP125N60E - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FCP125N60E
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FCP125N60E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FCP125N60E.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4110

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FCP125N60E
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FCP125N60E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FCP125N60E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 380 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCP125  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FCP125N60E

Proprietà del prodotto FCP125N60E FCP11N60 FCP13N60N FCP125N65S3R0
Modello di prodotti FCP125N60E FCP11N60 FCP13N60N FCP125N65S3R0
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 2.4mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc) 11A (Tc) 13A (Tc) 24A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FCP125 - FCP13N60 FCP125
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 39.5 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) 125W (Tc) 116W (Tc) 181W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 380 V 1490 pF @ 25 V 1765 pF @ 100 V 1940 pF @ 400 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Bulk Bulk Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 258mOhm @ 6.5A, 10V 125mOhm @ 12A, 10V
Serie SuperFET® II SuperFET™ SupreMOS™ SuperFET® III
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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