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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2N7002T
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N7002T - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
2N7002T
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-2N7002T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-89, SOT-490
Scheda dati
2N7002T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N7002T
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - 2N7002T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - 2N7002T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-523F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-89, SOT-490  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta)  
Numero di prodotto di base 2N7002  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor 2N7002T

Proprietà del prodotto 2N7002T 2N7002Q-7-F 2N7002PW 2N7002T-7-G
Modello di prodotti 2N7002T 2N7002Q-7-F 2N7002PW 2N7002T-7-G
fabbricante Fairchild Semiconductor Diodes Incorporated Diotec Semiconductor Diodes Incorporated
Serie - Automotive, AEC-Q101 - *
Contenitore dispositivo fornitore SOT-523F SOT-23-3 SOT-323 -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta) 370mW (Ta) 260mW (Ta) -
Contenitore / involucro SC-89, SOT-490 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta) 170mA (Ta) 315mA (Ta) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 30 pF @ 10 V -
Numero di prodotto di base 2N7002 2N7002 - 2N7002
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V 5Ohm @ 500mA, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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