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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaMR0A08BYS35
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MR0A08BYS35 - Everspin Technologies Inc.

fabbricante Modello di prodotti
MR0A08BYS35
fabbricante
EverSpin Technologies, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-MR0A08BYS35
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
Pacchetto
44-TSOP (0.400', 10.16mm Width)
Scheda dati
MR0A08B.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 2411

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche MR0A08BYS35
Specifiche tecniche Everspin Technologies Inc. - MR0A08BYS35, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Everspin Technologies Inc. - MR0A08BYS35

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante EverSpin Technologies, Inc.  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 35ns  
Tensione di alimentazione - 3V ~ 3.6V  
Tecnologia MRAM (Magnetoresistive RAM)  
Contenitore dispositivo fornitore 44-TSOP2  
Serie -  
Contenitore / involucro 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width)  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 1Mbit  
Organizzazione di memoria 128K x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria RAM  
Numero di prodotto di base MR0A08  
Tempo di accesso 35 ns  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0071

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Everspin Technologies Inc. MR0A08BYS35

Proprietà del prodotto MR0A08BYS35 MR0A08BMA35R MR0A08BCYS35 MR0A08BCSO35
Modello di prodotti MR0A08BYS35 MR0A08BMA35R MR0A08BCYS35 MR0A08BCSO35
fabbricante Everspin Technologies Inc. Everspin Technologies Inc. Everspin Technologies Inc. Everspin Technologies Inc.
Tempo di accesso 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns
Dimensione della memoria 1Mbit 1Mbit 1Mbit 1Mbit
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Tensione di alimentazione - 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
Serie - - - -
Pacchetto Tray Tape & Reel (TR) Tray Tray
Numero di prodotto di base MR0A08 MR0A08 MR0A08 MR0A08
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 35ns 35ns 35ns 35ns
Contenitore / involucro 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) 48-LFBGA 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 32-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Tecnologia MRAM (Magnetoresistive RAM) MRAM (Magnetoresistive RAM) MRAM (Magnetoresistive RAM) MRAM (Magnetoresistive RAM)
Organizzazione di memoria 128K x 8 128K x 8 128K x 8 128K x 8
Formato di memoria RAM RAM RAM RAM
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 44-TSOP2 48-FBGA (8x8) 44-TSOP2 32-SOIC

MR0A08BYS35 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MR0A08BYS35 PDF e la documentazione Everspin Technologies Inc. per MR0A08BYS35 - Everspin Technologies Inc..

PCN Design/Specifica
All Dev Trace Code Chgs 20/Oct/2021.pdf Mold Compound Update 15/Dec/2014.pdf
Foglio dati HTML
MR0A08B.pdf
Assemblaggio/origine PCN
2.73KHz.pdf

Metodo di spedizione

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metodo di consegna

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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