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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciEPC2111
EPC
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

EPC2111 - EPC

fabbricante Modello di prodotti
EPC2111
fabbricante
EPC
Allelco Modello di prodotti
32D-EPC2111
Modello ECAD
Descrizione delle parti
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Die
Scheda dati
EPC2111.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 20383

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche EPC2111
Specifiche tecniche EPC - EPC2111, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad EPC - EPC2111

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante EPC  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 5mA  
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)  
Contenitore dispositivo fornitore Die  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V  
Potenza - Max -  
Contenitore / involucro Die  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base EPC211  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di EPC EPC2111

Proprietà del prodotto EPC2111 EPC2106 EPC2203 EPC2039
Modello di prodotti EPC2111 EPC2106 EPC2203 EPC2039
fabbricante EPC EPC EPC EPC
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V 70mOhm @ 2A, 5V 80mOhm @ 1A, 5V 25mOhm @ 6A, 5V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 75pF @ 50V 88 pF @ 50 V 210 pF @ 40 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) 1.7A 1.7A (Ta) 6.8A (Ta)
Serie - eGaN® Automotive, AEC-Q101, eGaN® eGaN®
Contenitore dispositivo fornitore Die Die Die Die
Tensione drain-source (Vdss) 30V 100V 80 V 80 V
Contenitore / involucro Die Die Die Die
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 5mA 2.5V @ 600µA 2.5V @ 600µA 2.5V @ 2mA
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 0.73nC @ 5V 0.83 nC @ 5 V 2.4 nC @ 5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base EPC211 EPC210 - EPC20
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) - -

EPC2111 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica EPC2111 PDF e la documentazione EPC per EPC2111 - EPC.

Informazioni ambientali
EPC REACH.pdf EPC RoHS & Halogen Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Site Add 28/Aug/2020.pdf
Foglio dati HTML
EPC2111.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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