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GBU6M Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GBU6M - Diotec Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
GBU6M
fabbricante
Diotec Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-GBU6M
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4.2A GBU
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-SIP, GBU
Scheda dati
GBU6x Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 84880

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GBU6M
Specifiche tecniche Diotec Semiconductor - GBU6M, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diotec Semiconductor - GBU6M

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diotec Semiconductor  
Tensione - Picco inversa (max) 1 kV  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1 V @ 6 A  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore GBU  
Serie -  
Contenitore / involucro 4-SIP, GBU  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Box  
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 1000 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 4.2 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diotec Semiconductor GBU6M

Proprietà del prodotto GBU6M GBU802 GBU6M GBU6J-E3/51
Modello di prodotti GBU6M GBU802 GBU6M GBU6J-E3/51
fabbricante Diotec Semiconductor SMC Diode Solutions GeneSiC Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - Picco inversa (max) 1 kV 200 V 1 kV 600 V
Corrente - raddrizzata media (Io) 4.2 A 8 A 6 A 3.8 A
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1 V @ 6 A 1.1 V @ 8 A 1.1 V @ 6 A 1 V @ 6 A
Tipo diodo Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Serie - - - -
Pacchetto Box Tube Bulk Bulk
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 1000 V 5 µA @ 200 V 5 µA @ 1000 V 5 µA @ 600 V
Contenitore / involucro 4-SIP, GBU 4-ESIP 4-SIP, GBU 4-SIP, GBU
Contenitore dispositivo fornitore GBU GBU GBU GBU

GBU6M Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GBU6M PDF e la documentazione Diotec Semiconductor per GBU6M - Diotec Semiconductor.

Schede tecniche
GBU6x Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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GBU6M

Diotec Semiconductor
32D-GBU6M

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