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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matriciZXTDE4M832TA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXTDE4M832TA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXTDE4M832TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXTDE4M832TA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-VDFN Exposed Pad
Scheda dati
ZXTDE4M832.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4500

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXTDE4M832TA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXTDE4M832TA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXTDE4M832TA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80V, 70V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A  
Tipo transistor NPN, PNP  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3x2)  
Serie -  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 8-VDFN Exposed Pad  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 160MHz, 180MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 25nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3.5A, 2.5A  
Numero di prodotto di base ZXTDE4M832  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXTDE4M832TA

Proprietà del prodotto ZXTDE4M832TA ZXTDBM832TA ZXTDA1M832TA ZXTD718MCTA
Modello di prodotti ZXTDE4M832TA ZXTDBM832TA ZXTDA1M832TA ZXTD718MCTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Corrente - collettore (Ic) (max) 3.5A, 2.5A 4.5A 4.5A, 4A 3.5A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base ZXTDE4M832 ZXTDBM832 ZXTDA1M832 ZXTD718
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) 25nA 25nA 25nA 100nA
Serie - - - -
Tipo transistor NPN, PNP 2 NPN (Dual) NPN, PNP 2 PNP (Dual)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80V, 70V 20V 15V, 12V 20V
Contenitore / involucro 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 8-WDFN Exposed Pad
Frequenza - transizione 160MHz, 180MHz 140MHz 120MHz, 110MHz 150MHz
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3x2) 8-MLP (3x2) 8-MLP (3x2) W-DFN3020-8
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V 200 @ 2A, 2V 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V 300 @ 100mA, 2V
Potenza - Max 1W 1.7W 1W 1.7W
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A 270mV @ 125mA, 4.5A 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A 300mV @ 350mA, 3.5A

ZXTDE4M832TA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXTDE4M832TA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXTDE4M832TA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXTDE4M832.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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