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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matriciZXTD6717E6TA
ZXTD6717E6TA Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXTD6717E6TA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXTD6717E6TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXTD6717E6TA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
ZXTD6717E6.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 148780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXTD6717E6TA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXTD6717E6TA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXTD6717E6TA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 15V, 12V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A  
Tipo transistor NPN, PNP  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-26  
Serie -  
Potenza - Max 1.1W  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 180MHz, 220MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 10nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 1.5A, 1.25A  
Numero di prodotto di base ZXTD6717  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXTD6717E6TA

Proprietà del prodotto ZXTD6717E6TA ZXTDA1M832TA ZXTDBM832TA ZXTDC3M832TA
Modello di prodotti ZXTD6717E6TA ZXTDA1M832TA ZXTDBM832TA ZXTDC3M832TA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V 200 @ 2A, 2V 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo transistor NPN, PNP NPN, PNP 2 NPN (Dual) NPN, PNP
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A 270mV @ 125mA, 4.5A 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
Frequenza - transizione 180MHz, 220MHz 120MHz, 110MHz 140MHz 165MHz, 190MHz
Contenitore / involucro SOT-23-6 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - collettore (Ic) (max) 1.5A, 1.25A 4.5A, 4A 4.5A 4A, 3A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-26 8-MLP (3x2) 8-MLP (3x2) 8-MLP (3x2)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 15V, 12V 15V, 12V 20V 50V, 40V
Potenza - Max 1.1W 1W 1.7W 1W
Numero di prodotto di base ZXTD6717 ZXTDA1M832 ZXTDBM832 -
Corrente - Cutoff collettore (max) 10nA 25nA 25nA 25nA

ZXTD6717E6TA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXTD6717E6TA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXTD6717E6TA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf Mult Dev Layer Add 26/Nov/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
ZXTD6717E6.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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