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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMP6A17DN8QTC
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMP6A17DN8QTC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMP6A17DN8QTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMP6A17DN8QTC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
ZXMP6A17DN8.pdf
In magazzino: 109410

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMP6A17DN8QTC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMP6A17DN8QTC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMP6A17DN8QTC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.3A, 10V  
Potenza - Max 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 637pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.7nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base ZXMP6A17  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMP6A17DN8QTC

Proprietà del prodotto ZXMP6A17DN8QTC ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A16DN8TA ZXMP6A16DN8TC
Modello di prodotti ZXMP6A17DN8QTC ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A16DN8TA ZXMP6A16DN8TC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.3A, 10V 125mOhm @ 2.3A, 10V 85mOhm @ 2.9A, 10V 85mOhm @ 2.9A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 637pF @ 30V 637pF @ 30V 1021pF @ 30V 1021pF @ 30V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.7nC @ 10V 17.7nC @ 10V 12.1nC @ 5V 24.2nC @ 10V
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - Logic Level Gate - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) 2.7A 3.9A (Ta) 2.9A
Numero di prodotto di base ZXMP6A17 ZXMP6A17 ZXMP6A16 ZXMP6A16
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Potenza - Max 1.25W (Ta) 1.81W 2.15W 1.25W
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO

ZXMP6A17DN8QTC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMP6A17DN8QTC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMP6A17DN8QTC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXMP6A17DN8.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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