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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXMN3A04KTC
ZXMN3A04KTC Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMN3A04KTC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMN3A04KTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMN3A04KTC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati
ZXMN3A04KTC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 56710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMN3A04KTC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMN3A04KTC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMN3A04KTC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.15W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Numero di prodotto di base ZXMN3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMN3A04KTC

Proprietà del prodotto ZXMN3A04KTC ZXMN3A14FTA ZXMN3A03E6TA ZXMN3A14FQTA
Modello di prodotti ZXMN3A04KTC ZXMN3A14FTA ZXMN3A03E6TA ZXMN3A14FQTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 15 V 448 pF @ 15 V 600 pF @ 25 V 448 pF @ 15 V
Numero di prodotto di base ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36.8 nC @ 10 V 8.6 nC @ 10 V 12.6 nC @ 10 V 8.6 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 2.15W (Ta) 1W (Ta) 1.1W (Ta) 1.5W (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250mA 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) SOT-23-3 SOT-23-6 SOT-23-3
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 12A, 10V 65mOhm @ 3.2A, 10V 50mOhm @ 7.8A, 10V 65mOhm @ 3.2A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 3.2A (Ta) 3.7A (Ta) 3.9A (Ta)

ZXMN3A04KTC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMN3A04KTC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMN3A04KTC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXMN3A04KTC.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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