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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXMN2A02X8TA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMN2A02X8TA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMN2A02X8TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMN2A02X8TA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
ZXMN2A02X8.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4220

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMN2A02X8TA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMN2A02X8TA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMN2A02X8TA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMN2A02X8TA

Proprietà del prodotto ZXMN2A02X8TA ZXMN2A01FTA ZXMN2A02N8TA ZXMN2A01FTC
Modello di prodotti ZXMN2A02X8TA ZXMN2A01FTA ZXMN2A02N8TA ZXMN2A01FTC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V 303 pF @ 15 V 1900 pF @ 10 V 303 pF @ 15 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta) 625mW (Ta) 1.56W (Ta) 625mW (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta) 1.9A (Ta) 8.3A (Ta) 1.9A (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.6 nC @ 4.5 V 3 nC @ 4.5 V 18.9 nC @ 4.5 V 3 nC @ 4.5 V
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 4.5V 120mOhm @ 4A, 4.5V 20mOhm @ 11A, 4.5V 120mOhm @ 4A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP SOT-23-3 8-SO SOT-23-3
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V

ZXMN2A02X8TA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMN2A02X8TA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMN2A02X8TA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Select Discrete Devices 20/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
ZXMN2A02X8.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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