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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXMN10A11K
ZXMN10A11K Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMN10A11K - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMN10A11K
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMN10A11K
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
ZXMN10A11K.pdf
In magazzino: 3990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMN10A11K
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMN10A11K, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMN10A11K

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 2.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.11W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 274 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMN10A11K

Proprietà del prodotto ZXMN10A11K ZXMN10A25GTA ZXMN10A08E6TC ZXMN10B08E6TA
Modello di prodotti ZXMN10A11K ZXMN10A25GTA ZXMN10A08E6TC ZXMN10B08E6TA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.4 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA SOT-23-6 SOT-23-6
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 2.6A, 10V 125mOhm @ 2.9A, 10V 250mOhm @ 3.2A, 10V 230mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 274 pF @ 50 V 859 pF @ 50 V 405 pF @ 50 V 497 pF @ 50 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) 2.9A (Ta) 1.5A (Ta) 1.6A (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.11W (Ta) 2W (Ta) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3 SOT-223-3 SOT-26 SOT-26
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 4.3V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

ZXMN10A11K Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMN10A11K PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMN10A11K - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXMN10A11K.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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