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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMC3AM832TA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMC3AM832TA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMC3AM832TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMC3AM832TA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-VDFN Exposed Pad
Scheda dati
ZXMC3AM832.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5150

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMC3AM832TA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMC3AM832TA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMC3AM832TA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3x2)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Potenza - Max 1.7W  
Contenitore / involucro 8-VDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A, 2.1A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base ZXMC3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA

Proprietà del prodotto ZXMC3AM832TA ZXMC4A16DN8TA ZXMC3A16DN8TA ZXMC3AMCTA
Modello di prodotti ZXMC3AM832TA ZXMC4A16DN8TA ZXMC3A16DN8TA ZXMC3AMCTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base ZXMC3 ZXMC4A16 ZXMC3 ZXMC3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V 796pF @ 25V 190pF @ 25V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A, 2.1A 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) 4.9A, 4.1A 2.9A, 2.1A
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3x2) 8-SO 8-SO DFN3020B-8
Contenitore / involucro 8-VDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-WDFN Exposed Pad
Tensione drain-source (Vdss) 30V 40V 30V 30V
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250mA (Min) 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V 17nC @ 10V 17.5nC @ 10V 3.9nC @ 10V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel Complementary N and P-Channel N and P-Channel
Potenza - Max 1.7W 2.1W 1.25W 1.7W
Serie - - - -

ZXMC3AM832TA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMC3AM832TA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMC3AM832TA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010.pdf
Schede tecniche
ZXMC3AM832.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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