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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciZXMC3A16DN8QTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMC3A16DN8QTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMC3A16DN8QTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMC3A16DN8QTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 0
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
ZXMC3A16DN8QTA.pdf
In magazzino: 48320

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMC3A16DN8QTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMC3A16DN8QTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMC3A16DN8QTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V  
Potenza - Max 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V, 970pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.4A (Ta), 5.4A (Ta)  
Configurazione N and P-Channel Complementary  
Numero di prodotto di base ZXMC3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8QTA

Proprietà del prodotto ZXMC3A16DN8QTA ZXMC3A17DN8TC ZXMC3A16DN8TC ZXMC10A816N8TC
Modello di prodotti ZXMC3A16DN8QTA ZXMC3A17DN8TC ZXMC3A16DN8TC ZXMC10A816N8TC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V 50mOhm @ 7.8A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V 230mOhm @ 1A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V, 970pF @ 15V 600pF @ 25V 796pF @ 25V 497pF @ 50V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base ZXMC3 ZXMC3 ZXMC3 ZXMC10
Configurazione N and P-Channel Complementary N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Potenza - Max 1.25W (Ta) 1.25W 1.25W 1.8W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.4A (Ta), 5.4A (Ta) 4.1A, 3.4A 4.9A, 4.1A 2A
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 100V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 2.4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V 12.2nC @ 10V 17.5nC @ 10V 9.2nC @ 10V

ZXMC3A16DN8QTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMC3A16DN8QTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMC3A16DN8QTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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