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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXM61P02FTA
ZXM61P02FTA Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXM61P02FTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXM61P02FTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXM61P02FTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
ZXM61P02FTC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 287270

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXM61P02FTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXM61P02FTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXM61P02FTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 625mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)  
Numero di prodotto di base ZXM61P02  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXM61P02FTA

Proprietà del prodotto ZXM61P02FTA ZXM62N03E6TA ZXM61P03FTC ZXM61P02FTC
Modello di prodotti ZXM61P02FTA ZXM62N03E6TA ZXM61P03FTC ZXM61P02FTC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±12V - ±20V ±12V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base ZXM61P02 - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V - 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-6 SOT-23-3 SOT-23-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 15 V 380 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 150 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V 110mOhm @ 2.2A, 10V 350mOhm @ 600mA, 10V 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V 9.6 nC @ 10 V 4.8 nC @ 10 V 3.5 nC @ 4.5 V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Dissipazione di potenza (max) 625mW (Ta) - 625mW (Ta) 625mW (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Digi-Reel® Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta) 3.2A (Ta) 1.1A (Ta) 900mA (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

ZXM61P02FTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXM61P02FTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXM61P02FTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXM61P02FTC.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Plating Site Add 24/Feb/2017.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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