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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZVP2106GTC
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZVP2106GTC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZVP2106GTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZVP2106GTC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
ZVP2106G.pdf
In magazzino: 4730

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZVP2106GTC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZVP2106GTC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZVP2106GTC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 18 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 450mA (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZVP2106GTC

Proprietà del prodotto ZVP2106GTC ZVP2110GTA ZVP2120A ZVP2110ASTZ
Modello di prodotti ZVP2106GTC ZVP2110GTA ZVP2120A ZVP2110ASTZ
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 200 V 100 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) E-Line-3
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V 8Ohm @ 375mA, 10V 25Ohm @ 150mA, 10V 8Ohm @ 375mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 18 V 100 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Box (TB)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3 SOT-223-3 TO-92 E-Line (TO-92 compatible)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 450mA (Ta) 310mA (Ta) 120mA (Ta) 230mA (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole

ZVP2106GTC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZVP2106GTC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZVP2106GTC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZVP2106G.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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