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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZVNL110GTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZVNL110GTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZVNL110GTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZVNL110GTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
ZVNL110G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 63080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZVNL110GTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZVNL110GTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZVNL110GTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)  
Numero di prodotto di base ZVNL110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZVNL110GTA

Proprietà del prodotto ZVNL110GTA ZVN4525GTA ZVNL120A ZVN4424ZTA
Modello di prodotti ZVNL110GTA ZVN4525GTA ZVNL120A ZVN4424ZTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base ZVNL110 ZVN4525 ZVNL120 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 25 V 72 pF @ 25 V 85 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V 10Ohm @ 250mA, 5V 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3 SOT-223-3 TO-92 SOT-89-3
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA 1.8V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.8V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±40V ±20V ±40V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta) 310mA (Ta) 180mA (Ta) 300mA (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 250 V 200 V 240 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta) 2W (Ta) 700mW (Ta) 1W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 2.5V, 10V 3V, 5V 2.5V, 10V
Serie - - - -

ZVNL110GTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZVNL110GTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZVNL110GTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Schede tecniche
ZVNL110G.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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