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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloZTX649STZ
ZTX649STZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZTX649STZ - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZTX649STZ
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZTX649STZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 25V 2A E-LINE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
E-Line-3, Formed Leads
Scheda dati
ZTX649.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 100680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZTX649STZ
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZTX649STZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZTX649STZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore E-Line (TO-92 compatible)  
Serie -  
Potenza - Max 1 W  
Contenitore / involucro E-Line-3, Formed Leads  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 200°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 240MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A  
Numero di prodotto di base ZTX649  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZTX649STZ

Proprietà del prodotto ZTX649STZ ZTX605STZ ZTX614QSTZ ZTX649
Modello di prodotti ZTX649STZ ZTX605STZ ZTX614QSTZ ZTX649
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) Tape & Box (TB) Bulk
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 1.5V @ 1mA, 1A 1.25V @ 8mA, 800mA 500mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor NPN NPN - Darlington NPN - Darlington NPN
Potenza - Max 1 W 1 W 1 W 1 W
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A 1 A 800 mA 2 A
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25 V 120 V 100 V 25 V
Contenitore dispositivo fornitore E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 2V 2000 @ 1A, 5V 10000 @ 500mA, 5V 100 @ 1A, 2V
Frequenza - transizione 240MHz 150MHz - 240MHz
Serie - - - -
Numero di prodotto di base ZTX649 ZTX605 - ZTX649
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 10µA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Contenitore / involucro E-Line-3, Formed Leads E-Line-3, Formed Leads E-Line-3, Formed Leads E-Line-3

ZTX649STZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZTX649STZ PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZTX649STZ - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZTX649.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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