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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matriciZDT649TA
ZDT649TA Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
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ZDT649TA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZDT649TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZDT649TA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS 2NPN 25V 2A SM8
Pacchetto
SOT-223-8
Scheda dati
ZDT649.pdf
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In magazzino: 50680

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZDT649TA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZDT649TA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZDT649TA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Tipo transistor 2 NPN (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SM8  
Serie -  
Potenza - Max 2.75W  
imballaggio Cut Tape (CT)  
Contenitore / involucro SOT-223-8  
Altri nomi ZDT649
ZDT649CT
 
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant  
Frequenza - transizione 240MHz  
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 25V 2A 240MHz 2.75W Surface Mount SM8  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2A  
Numero di parte base ZDT649  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZDT649TA

Proprietà del prodotto ZDT649TA ZDT6718QTA ZDT6758TA ZDT1049TA
Modello di prodotti ZDT649TA ZDT6718QTA ZDT6758TA ZDT1049TA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Frequenza - transizione 240MHz 140MHz, 180MHz 50MHz 180MHz
Numero di parte base ZDT649 - - -
Potenza - Max 2.75W 2W 2.75W 2.75W
Serie - - - -
Altri nomi ZDT649
ZDT649CT
- - -
Contenitore / involucro SOT-223-8 SOT-223-8 SOT-223-8 SOT-223-8
Tipo transistor 2 NPN (Dual) NPN, PNP NPN, PNP 2 NPN (Dual)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A 500mV @ 10mA, 100mA 220mV @ 50mA, 4A
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 25V 2A 240MHz 2.75W Surface Mount SM8 - - -
imballaggio Cut Tape (CT) - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SM8 SM-8 SM8 SM8
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25V 20V 400V 25V
Corrente - collettore (Ic) (max) 2A 2A, 1.5A 500mA 5A
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 2V 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V 40 @ 200mA, 10V 300 @ 1A, 2V
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100nA 100nA (ICBO) 10nA

ZDT649TA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZDT649TA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZDT649TA - Diodes Incorporated.

Specifiche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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