Specifiche
Specifiche tecnologiche MMDT2222V-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - MMDT2222V-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - MMDT2222V-7
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Diodes Incorporated |
|
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) |
40V |
|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic |
1V @ 50mA, 500mA |
|
| Tipo transistor |
2 NPN (Dual) |
|
| Contenitore dispositivo fornitore |
SOT-563 |
|
| Serie |
- |
|
| Potenza - Max |
150mW |
|
| Contenitore / involucro |
SOT-563, SOT-666 |
|
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
|
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
|
| Tipo montaggio |
Surface Mount |
|
| Frequenza - transizione |
300MHz |
|
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce |
100 @ 150mA, 10V |
|
| Corrente - Cutoff collettore (max) |
10nA (ICBO) |
|
| Corrente - collettore (Ic) (max) |
600mA |
|
| Numero di prodotto di base |
MMDT2222 |
|
Metodo di spedizione
Tempi di consegna
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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MMDL914T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
MMDP-67204HV-30MQ5962-8956809Atmel (Microchip Technology)
MMDT2227A_R1_00001Panjit International Inc.COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGN
MMDS20254HT1NXP Semiconductors
MMDT2227M-7Diodes IncorporatedTRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26