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New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português)
Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RFMMBTH10-7-F
MMBTH10-7-F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MMBTH10-7-F - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
MMBTH10-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-MMBTH10-7-F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MMBTH10.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 776600

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche MMBTH10-7-F
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - MMBTH10-7-F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - MMBTH10-7-F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25V  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Potenza - Max 300mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Di rumore (dB tip @ f) -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Guadagno -  
Frequenza - transizione 650MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V  
Corrente - collettore (Ic) (max) 50mA  
Numero di prodotto di base MMBTH10  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated MMBTH10-7-F

Proprietà del prodotto MMBTH10-7-F MMBTH10LT1G MMBTH10LT1 MMBTH11
Modello di prodotti MMBTH10-7-F MMBTH10LT1G MMBTH10LT1 MMBTH11
fabbricante Diodes Incorporated onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base MMBTH10 MMBTH10 MMBTH10 MMBTH11
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25V 25V - 25V
Guadagno - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Serie - - * -
Tipo transistor NPN NPN - NPN
Potenza - Max 300mW 225mW - 225mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) - SOT-23-3
Corrente - collettore (Ic) (max) 50mA - - 50mA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V 60 @ 4mA, 10V - 60 @ 4mA, 10V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequenza - transizione 650MHz 650MHz - 650MHz
Di rumore (dB tip @ f) - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

MMBTH10-7-F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMBTH10-7-F PDF e la documentazione Diodes Incorporated per MMBTH10-7-F - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
Schede tecniche
MMBTH10.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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MMBTH10-7-F

Diodes Incorporated
32D-MMBTH10-7-F

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