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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMMBTA55-7-F
MMBTA55-7-F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MMBTA55-7-F - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
MMBTA55-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-MMBTA55-7-F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MMBTA55,56.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 776750

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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La nostra certificazione

Specifiche

Specifiche tecnologiche MMBTA55-7-F
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - MMBTA55-7-F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - MMBTA55-7-F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Potenza - Max 300 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 50MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base MMBTA55  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated MMBTA55-7-F

Proprietà del prodotto MMBTA55-7-F MMBTA56 MMBTA55LT1G MMBTA55
Modello di prodotti MMBTA55-7-F MMBTA56 MMBTA55LT1G MMBTA55
fabbricante Diodes Incorporated Diotec Semiconductor onsemi Yangjie Technology
Pacchetto Tape & Reel (TR) Strip Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V 80 V 60 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOD-323 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23
Numero di prodotto di base MMBTA55 - MMBTA55 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V 100 @ 100mA, 1V 100 @ 100mA, 1V 100 @ 100mA, 1V
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Frequenza - transizione 50MHz 50MHz 50MHz 50MHz
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-90, SOD-323F TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA 100nA
Tipo transistor PNP PNP PNP PNP
Potenza - Max 300 mW 250 mW 225 mW 225 mW
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

MMBTA55-7-F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMBTA55-7-F PDF e la documentazione Diodes Incorporated per MMBTA55-7-F - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Source 21/Apr/2017.pdf
Schede tecniche
MMBTA55,56.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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