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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloDXT5551P5-13
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DXT5551P5-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DXT5551P5-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DXT5551P5-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerDI™ 5
Scheda dati
DXT5551P5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 204950

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DXT5551P5-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DXT5551P5-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DXT5551P5-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 160 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI™ 5  
Serie -  
Potenza - Max 2.25 W  
Contenitore / involucro PowerDI™ 5  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 130MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 600 mA  
Numero di prodotto di base DXT5551  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DXT5551P5-13

Proprietà del prodotto DXT5551P5-13 DXT3906-13 DXT690BP5-13 DXT751Q-13
Modello di prodotti DXT5551P5-13 DXT3906-13 DXT690BP5-13 DXT751Q-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V 100 @ 10mA, 1V 150 @ 2A, 2V 100 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 20nA 100nA (ICBO)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA 350mV @ 150mA, 3A 600mV @ 300mA, 3A
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI™ 5 SOT-89-3 PowerDI™ 5 SOT-89-3
Frequenza - transizione 130MHz 250MHz 150MHz 100MHz
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 160 V 40 V 45 V 60 V
Numero di prodotto di base DXT5551 DXT3906 DXT690 DXT751
Tipo transistor NPN PNP NPN PNP
Potenza - Max 2.25 W 1 W 740 mW 1 W
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Contenitore / involucro PowerDI™ 5 TO-243AA PowerDI™ 5 TO-243AA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - collettore (Ic) (max) 600 mA 200 mA 3 A 3 A

DXT5551P5-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DXT5551P5-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DXT5551P5-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Die Passivation 13/Jun/2023.pdf
Schede tecniche
DXT5551P5.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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