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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMTH6010LPD-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMTH6010LPD-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMTH6010LPD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMTH6010LPD-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
DMTH6010LPD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 77710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMTH6010LPD-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMTH6010LPD-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMTH6010LPD-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V  
Potenza - Max 2.8W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2615pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40.2nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMTH6010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMTH6010LPD-13

Proprietà del prodotto DMTH6010LPD-13 DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPD-13 DMTH6009SPS
Modello di prodotti DMTH6010LPD-13 DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPD-13 DMTH6009SPS
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2615pF @ 30V 864pF @ 30V 864pF @ 30V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40.2nC @ 10V 17nC @ 10V 17nC @ 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) -
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Caratteristica FET - - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Potenza - Max 2.8W 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) -
Numero di prodotto di base DMTH6010 DMTH6016 DMTH6016 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V 19mOhm @ 10A, 10V 19mOhm @ 10A, 10V -

DMTH6010LPD-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMTH6010LPD-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMTH6010LPD-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMTH6010LPD.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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