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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMTH4007SPDQ-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMTH4007SPDQ-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMTH4007SPDQ-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMTH4007SPDQ-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
DMTH4007SPDQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23194

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMTH4007SPDQ-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMTH4007SPDQ-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMTH4007SPDQ-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V  
Potenza - Max 2.6W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMTH4007  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ-13

Proprietà del prodotto DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPD-13 DMTH6005LCT DMTH4007SK3-13
Modello di prodotti DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPD-13 DMTH6005LCT DMTH4007SK3-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Potenza - Max 2.6W 2.6W - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.2A 14.2A 100A (Tc) 17.6A (Ta), 76A (Tc)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V 41.9nC @ 10V 47.1 nC @ 10 V 41.9 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 TO-220-3 TO-252-3
Numero di prodotto di base DMTH4007 DMTH4007 DMTH6005 DMTH4007
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V 40V 60 V 40 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V 2026pF @ 30V 2962 pF @ 30 V 2082 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

DMTH4007SPDQ-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMTH4007SPDQ-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMTH4007SPDQ-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Schede tecniche
DMTH4007SPDQ.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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