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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMT6018LDR-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMT6018LDR-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMT6018LDR-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMT6018LDR-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
DMT6018LDR-7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 70150

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMT6018LDR-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMT6018LDR-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMT6018LDR-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore V-DFN3030-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V  
Potenza - Max 1.9W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMT6018  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMT6018LDR-7

Proprietà del prodotto DMT6018LDR-7 DMT6017LDV-7 DMT6017LDV-13 DMTH10H017LPDQ-13
Modello di prodotti DMT6018LDR-7 DMT6017LDV-7 DMT6017LDV-13 DMTH10H017LPDQ-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V - - 28.6nC @ 10V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Numero di prodotto di base DMT6018 DMT6017 DMT6017 DMTH10
Contenitore dispositivo fornitore V-DFN3030-8 PowerDI3333-8 (Type UXC) PowerDI3333-8 (Type UXC) PowerDI5060-8 (Type E)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V - - 1986pF @ 50V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V 22mOhm @ 6A, 10V 22mOhm @ 6A, 10V 17.4mOhm @ 17A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 1.9W - - 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tensione drain-source (Vdss) 60V - - 100V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta) 25.3 (Tc) 25.3A (Tc) 13A (Ta), 59A (Tc)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN

DMT6018LDR-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMT6018LDR-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMT6018LDR-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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