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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMPH4013SK3Q-13
DMPH4013SK3Q-13 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMPH4013SK3Q-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMPH4013SK3Q-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMPH4013SK3Q-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
DMPH4013SK3Q.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 88780

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMPH4013SK3Q-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMPH4013SK3Q-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMPH4013SK3Q-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4004 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc)  
Numero di prodotto di base DMPH4013  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMPH4013SK3Q-13

Proprietà del prodotto DMPH4013SK3Q-13 DMPH4015SSS-13 DMPH4029LFGQ-7 DMP6250SE-13
Modello di prodotti DMPH4013SK3Q-13 DMPH4015SSS-13 DMPH4029LFGQ-7 DMP6250SE-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc) 11.4A (Ta) 8A (Ta), 22A (Tc) 2.1A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta) 1.8W 1.2W (Ta) 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4004 pF @ 20 V 4234 pF @ 20 V 1626 pF @ 20 V 551 pF @ 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) 8-SO PowerDI3333-8 SOT-223-3
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN TO-261-4, TO-261AA
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V 11mOhm @ 9.8A, 10V 29mOhm @ 3A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base DMPH4013 DMPH4015 DMPH4029 DMP6250
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -

DMPH4013SK3Q-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMPH4013SK3Q-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMPH4013SK3Q-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DMPH4013SK3Q.pdf

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