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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMP56D0UV-7
DMP56D0UV-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP56D0UV-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP56D0UV-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP56D0UV-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
DMP56D0UV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 301040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP56D0UV-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP56D0UV-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP56D0UV-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V  
Potenza - Max 400mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50.54pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.58nC @ 4V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160mA  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMP56  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP56D0UV-7

Proprietà del prodotto DMP56D0UV-7 DMP57D5UV-7 DMP58D0SV-7 DMP45H150DHE-13
Modello di prodotti DMP56D0UV-7 DMP57D5UV-7 DMP58D0SV-7 DMP45H150DHE-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50.54pF @ 25V 29pF @ 25V 27pF @ 25V 59.2 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 50V 50V 50V 450 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 4V @ 250µA
Potenza - Max 400mW 400mW 400mW -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160mA 160mA 160mA 250mA (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.58nC @ 4V - - 1.8 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V 6Ohm @ 100mA, 4V 8Ohm @ 100mA, 5V 150Ohm @ 50mA, 10V
Numero di prodotto di base DMP56 DMP57D5UV DMP58 DMP45
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 SOT-563 SOT-563 SOT-223-3

DMP56D0UV-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP56D0UV-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP56D0UV-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMP56D0UV.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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