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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP4015SK3Q-13
DMP4015SK3Q-13 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP4015SK3Q-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP4015SK3Q-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP4015SK3Q-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
DMP4015SK3Q.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 89660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP4015SK3Q-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP4015SK3Q-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP4015SK3Q-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 9.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4234 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47.5 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base DMP4015  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP4015SK3Q-13

Proprietà del prodotto DMP4015SK3Q-13 DMP4011SK3Q-13 DMP4015SSSQ-13 DMP4015SPS-13
Modello di prodotti DMP4015SK3Q-13 DMP4011SK3Q-13 DMP4015SSSQ-13 DMP4015SPS-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 9.8A, 10V 11mOhm @ 9.8A, 10V 11mOhm @ 9.8A, 10V 11mOhm @ 9.8A, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta) 1.8W (Ta), 5W (Tc) 1.45W (Ta) 1.3W (Ta)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 35A (Tc) 14A (Ta), 74A (Tc) 9.1A (Ta) 8.5A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4234 pF @ 20 V 2747 pF @ 20 V 4234 pF @ 20 V 4234 pF @ 20 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47.5 nC @ 5 V 52 nC @ 10 V 47.5 nC @ 5 V 47.5 nC @ 5 V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3 TO-252, (D-Pak) 8-SO PowerDI5060-8
Numero di prodotto di base DMP4015 DMP4011 DMP4015 DMP4015
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN

DMP4015SK3Q-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP4015SK3Q-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP4015SK3Q-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DMP4015SK3Q.pdf
Assemblaggio/origine PCN
DMNHx/DMPx/DMTHx 21/Jun/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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