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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP32D4S-7
DMP32D4S-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP32D4S-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP32D4S-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP32D4S-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMP32D4S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 412450

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP32D4S-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP32D4S-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP32D4S-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 370mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 51.16 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.2 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)  
Numero di prodotto di base DMP32  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP32D4S-7

Proprietà del prodotto DMP32D4S-7 DMP32D9UFZ-7B DMP31D7L-7 DMP34M4SPS-13
Modello di prodotti DMP32D4S-7 DMP32D9UFZ-7B DMP31D7L-7 DMP34M4SPS-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA 1V @ 250µA 2.6V @ 250µA 2.6V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.2 nC @ 10 V 0.35 nC @ 4.5 V 0.36 nC @ 4.5 V 127 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base DMP32 DMP32 DMP31 DMP34
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-XFDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta) 200mA (Ta) 580mA (Ta) 135A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 370mW (Ta) 390mW (Ta) 430mW (Ta) 1.5W
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 51.16 pF @ 15 V 22.5 pF @ 15 V 19 pF @ 15 V 3775 pF @ 15 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 X2-DFN0606-3 SOT-23-3 PowerDI5060-8
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.2V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 300mA, 10V 5Ohm @ 100mA, 4.5V 900mOhm @ 420mA, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±25V
Caratteristica FET - - - -

DMP32D4S-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP32D4S-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP32D4S-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015.pdf
Schede tecniche
DMP32D4S.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMP32D4S-7

Diodes Incorporated
32D-DMP32D4S-7

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