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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP3020LSS-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP3020LSS-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP3020LSS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP3020LSS-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
DMP3020LSS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 130120

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP3020LSS-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP3020LSS-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP3020LSS-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1802 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.7 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMP3020  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP3020LSS-13

Proprietà del prodotto DMP3020LSS-13 DMP3026SFDF-7 DMP3025LK3-13-01 DMP3028LFDE-7
Modello di prodotti DMP3020LSS-13 DMP3026SFDF-7 DMP3025LK3-13-01 DMP3028LFDE-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO U-DFN2020-6 (Type F) TO-252-3 U-DFN2020-6 (Type E)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2W (Ta) 2.15W (Ta) 660mW (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 10.3A (Ta) 16.1A (Ta) 6.8A (Ta)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-UDFN Exposed Pad TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6-PowerUDFN
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1802 pF @ 15 V 1204 pF @ 15 V 1678 pF @ 15 V 1241 pF @ 15 V
Numero di prodotto di base DMP3020 DMP3026 DMP3025 DMP3028
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.7 nC @ 10 V 19.6 nC @ 10 V 31.6 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 10V 19mOhm @ 4.5A, 10V 25mOhm @ 7.1A, 10V 32mOhm @ 7A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

DMP3020LSS-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP3020LSS-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP3020LSS-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018.pdf
Schede tecniche
DMP3020LSS.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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