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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP3010LPS-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP3010LPS-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP3010LPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP3010LPS-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
DMP3010LPS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 69120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP3010LPS-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP3010LPS-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP3010LPS-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.18W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6234 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 126.2 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMP3010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP3010LPS-13

Proprietà del prodotto DMP3010LPS-13 DMP3010LPSQ-13 DMP3010LK3-13 DMP3012LPS-13
Modello di prodotti DMP3010LPS-13 DMP3010LPSQ-13 DMP3010LK3-13 DMP3012LPS-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Dissipazione di potenza (max) 2.18W (Ta) 2.18W (Ta) 1.7W (Ta) 1.29W (Ta)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base DMP3010 DMP3010 DMP3010 DMP3012
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 TO-252-3 PowerDI5060-8
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V 7.5mOhm @ 10A, 10V 8mOhm @ 10A, 10V 9mOhm @ 10A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6234 pF @ 15 V 6234 pF @ 15 V 6234 pF @ 15 V 6807 pF @ 15 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Ta) 36A (Ta) 17A (Ta) 13.2A (Ta)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerTDFN
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 126.2 nC @ 10 V 126.2 nC @ 10 V 59.2 nC @ 4.5 V 139 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

DMP3010LPS-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP3010LPS-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP3010LPS-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 05/Dec/2019.pdf
Schede tecniche
DMP3010LPS.pdf

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