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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP2100U-7
DMP2100U-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP2100U-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP2100U-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP2100U-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMP2100U.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 487400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP2100U-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP2100U-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP2100U-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 216 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMP2100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP2100U-7

Proprietà del prodotto DMP2100U-7 DMP2066LVT-13 DMP2104LP-7 DMP2078LCA3-7
Modello di prodotti DMP2100U-7 DMP2066LVT-13 DMP2104LP-7 DMP2078LCA3-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 10V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 3-UDFN 3-XFDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 4.5 V 14.4 nC @ 4.5 V - 1.6 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 216 pF @ 15 V 1496 pF @ 15 V 320 pF @ 16 V 228 pF @ 10 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 3.5A, 10V 45mOhm @ 4.5A, 4.5V 150mOhm @ 950mA, 4.5V 78mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Numero di prodotto di base DMP2100 DMP2066 DMP2104 DMP2078
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 TSOT-23-6 DFN1411-3 X4-DSN1006-3
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Ta) 4.5A (Ta) 1.5A (Ta) 3.4A (Ta)
Vgs (Max) ±10V ±8V ±12V -12V
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) 1.2W (Ta) 500mW (Ta) 810mW (Ta)

DMP2100U-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP2100U-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP2100U-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015.pdf
Schede tecniche
DMP2100U.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMP2100U-7

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