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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP10H400SEQ-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP10H400SEQ-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP10H400SEQ-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP10H400SEQ-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
DMP10H400SEQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 139790

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP10H400SEQ-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP10H400SEQ-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP10H400SEQ-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 13.7W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1239 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta), 6A (Tc)  
Numero di prodotto di base DMP10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP10H400SEQ-13

Proprietà del prodotto DMP10H400SEQ-13 DMP10H400SK3-13 DMP1100UCB4-7 DMP1245UFCL-7
Modello di prodotti DMP10H400SEQ-13 DMP10H400SK3-13 DMP1100UCB4-7 DMP1245UFCL-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3 TO-252-3 X2-WLB0808-4 X1-DFN1616-6 (Type E)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 13.7W (Tc) 42W (Tc) 670mW (Ta) 613mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 12 V 12 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V 17.5 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 26.1 nC @ 8 V
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 5A, 10V 240mOhm @ 5A, 10V 83mOhm @ 3A, 4.5V 29mOhm @ 4A, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base DMP10 DMP10 DMP1100 DMP1245
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 4-XFBGA, WLBGA 6-PowerUFDFN
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 800mV @ 250µA 950mV @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±8V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.3V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1239 pF @ 25 V 1239 pF @ 25 V 820 pF @ 6 V 1357.4 pF @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta), 6A (Tc) 9A (Tc) 2.5A (Ta) 6.6A (Ta)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -

DMP10H400SEQ-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP10H400SEQ-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP10H400SEQ-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DMP10H400SEQ.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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