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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN61D8L-7
DMN61D8L-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN61D8L-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN61D8L-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN61D8L-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMN61D8L(VT).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 302450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN61D8L-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN61D8L-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN61D8L-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 390mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12.9 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.74 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 470mA (Ta)  
Numero di prodotto di base DMN61  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN61D8L-7

Proprietà del prodotto DMN61D8L-7 DMN60H4D5SK3-13 DMN60H080DS-7 DMN60H3D5SK3-13
Modello di prodotti DMN61D8L-7 DMN60H4D5SK3-13 DMN60H080DS-7 DMN60H3D5SK3-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 600 V 600 V 600 V
Numero di prodotto di base DMN61 DMN60 DMN60 DMN60
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±12V ±30V ±20V ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12.9 pF @ 12 V 273.5 pF @ 25 V 25 pF @ 25 V 354 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V 4.5Ohm @ 1A, 10V 100Ohm @ 60mA, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 390mW (Ta) 41W (Tc) 1.1W (Ta) 41W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 TO-252, (D-Pak) SOT-23-3 TO-252, (D-Pak)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 5V 10V 4.5V, 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.74 nC @ 5 V 8.2 nC @ 10 V 1.7 nC @ 10 V 12.6 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 470mA (Ta) 2.5A (Tc) 80mA (Ta) 2.8A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

DMN61D8L-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN61D8L-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN61D8L-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMN61D8L(VT).pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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