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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN5010VAK-7
DMN5010VAK-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

DMN5010VAK-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN5010VAK-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN5010VAK-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
DMN5/L06VK,VAK/010VAK.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4350

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN5010VAK-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN5010VAK-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN5010VAK-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 280mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN5010  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN5010VAK-7

Proprietà del prodotto DMN5010VAK-7 DMN53D0LDW-7 DMN53D0LV-7 DMN4800LSSL
Modello di prodotti DMN5010VAK-7 DMN53D0LDW-7 DMN53D0LV-7 DMN4800LSSL
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated VBsemi
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 280mA 360mA 350mA (Ta) -
Potenza - Max 250mW 310mW 430mW (Ta) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 0.6nC @ 4.5V 0.6nC @ 4.5V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 46pF @ 25V 46pF @ 25V -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA -
Numero di prodotto di base DMN5010 DMN53 DMN53 -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tensione drain-source (Vdss) 50V 50V 50V -
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V 1.6Ohm @ 500mA, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V -
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 SOT-363 SOT-563 -
Serie - - - -

DMN5010VAK-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN5010VAK-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN5010VAK-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 7/Apr/2021.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 17/Feb/2022.pdf
PCN Altro
Subs 2-17-2023.pdf
Schede tecniche
DMN5/L06VK,VAK/010VAK.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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