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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN4035LQ-7
DMN4035LQ-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN4035LQ-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN4035LQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN4035LQ-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMN4035LQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 290460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN4035LQ-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN4035LQ-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN4035LQ-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 4.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 720mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 574 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMN4035  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN4035LQ-7

Proprietà del prodotto DMN4035LQ-7 DMN4036LK3-13 DMN4035L-7 DMN4468LSS-13
Modello di prodotti DMN4035LQ-7 DMN4036LK3-13 DMN4035L-7 DMN4468LSS-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 TO-252-3 SOT-23-3 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Ta) 8.5A (Ta) 4.6A (Ta) 10A (Ta)
Numero di prodotto di base DMN4035 DMN4036 DMN4035 DMN4468
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1.95V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 720mW 2.12W (Ta) 720mW 1.52W (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 574 pF @ 20 V 453 pF @ 20 V 574 pF @ 20 V 867 pF @ 10 V
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 18.85 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 4.3A, 10V 36mOhm @ 12A, 10V 42mOhm @ 4.3A, 10V 14mOhm @ 11.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -

DMN4035LQ-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN4035LQ-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN4035LQ-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Schede tecniche
DMN4035LQ.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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