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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN3015LSD-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN3015LSD-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN3015LSD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN3015LSD-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
DMN3015LSD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 137290

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN3015LSD-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN3015LSD-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN3015LSD-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V  
Potenza - Max 1.2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN3015  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN3015LSD-13

Proprietà del prodotto DMN3015LSD-13 DMN3012LFG-7 DMN3012LEG-13 DMN3016LDN-7
Modello di prodotti DMN3015LSD-13 DMN3012LFG-7 DMN3012LEG-13 DMN3016LDN-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V 20mOhm @ 11A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN 8-PowerWDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base DMN3015 DMN3012 DMN3012 DMN3016
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Ta) 20A (Tc) 10A (Ta), 20A (Tc) 7.3A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V 25.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V 1415pF @ 15V
Caratteristica FET - - - Logic Level Gate
Potenza - Max 1.2W 2.2W 2.2W (Tc) 1.1W
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO PowerDI3333-8 PowerDI3333-8 (Type D) V-DFN3030-8 (Type J)

DMN3015LSD-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN3015LSD-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN3015LSD-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly/Materials 25/Mar/2019.pdf
Schede tecniche
DMN3015LSD.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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