Specifiche
Specifiche tecnologiche DMN10H220LVT-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN10H220LVT-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN10H220LVT-7
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Diodes Incorporated |
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| Vgs (th) (max) a Id |
2.5V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±16V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
TSOT-26 |
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| Serie |
- |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
220mOhm @ 1.6A, 10V |
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| Dissipazione di potenza (max) |
1.67W (Ta) |
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| Contenitore / involucro |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
401 pF @ 25 V |
|
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
8.3 nC @ 10 V |
|
| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
100 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
1.87A (Ta) |
|
| Numero di prodotto di base |
DMN10 |
|
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
DMN10H220LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 7.5A TO252