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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMC25D1UVT-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMC25D1UVT-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMC25D1UVT-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMC25D1UVT-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
DMC25D1UVT.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 81830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMC25D1UVT-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMC25D1UVT-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMC25D1UVT-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSOT-26  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V  
Potenza - Max 1.3W  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27.6pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 25V, 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA, 3.9A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base DMC25  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMC25D1UVT-7

Proprietà del prodotto DMC25D1UVT-7 DMC2400UV-13 DMC2450UV-7 DMC2041UFDB-7
Modello di prodotti DMC25D1UVT-7 DMC2400UV-13 DMC2450UV-7 DMC2041UFDB-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA, 3.9A 1.03A, 700mA 1.03A, 700mA 4.7A, 3.2A
Potenza - Max 1.3W 450mW 450mW 1.4W
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V 480mOhm @ 200mA, 5V 480mOhm @ 200mA, 5V 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 6-UDFN Exposed Pad
Contenitore dispositivo fornitore TSOT-26 SOT-563 SOT-563 U-DFN2020-6 (Type B)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27.6pF @ 10V 37.1pF @ 10V 37.1pF @ 10V 713pF @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 25V, 12V 20V 20V 20V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1.4V @ 250µA
Serie - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V 0.5nC @ 4.5V 0.5nC @ 4.5V 15nC @ 8V
Numero di prodotto di base DMC25 DMC2400 DMC2450 DMC2041
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DMC25D1UVT-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMC25D1UVT-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMC25D1UVT-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMC25D1UVT.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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