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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoDDTB122TC-7-F
DDTB122TC-7-F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DDTB122TC-7-F - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DDTB122TC-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DDTB122TC-7-F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DDTB - LO-R1 - C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4940

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DDTB122TC-7-F
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DDTB122TC-7-F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DDTB122TC-7-F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Tipo transistor PNP - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Resistor - Base (R1) 220 Ohms  
Potenza - Max 200 mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 200 MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base DDTB122  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DDTB122TC-7-F

Proprietà del prodotto DDTB122TC-7-F DDTB122JU-7-F DDTC113TE-7-F DDTB142JC-7-F
Modello di prodotti DDTB122TC-7-F DDTB122JU-7-F DDTC113TE-7-F DDTB142JC-7-F
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA (ICBO) 500nA 500nA (ICBO) 500nA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Resistor - Base (R1) 220 Ohms 220 Ohms 1 kOhms 470 Ohms
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Tipo transistor PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Numero di prodotto di base DDTB122 DDTB122 DDTC113 DDTB142
Potenza - Max 200 mW 200 mW 150 mW 200 mW
Serie - - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V 47 @ 50mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 56 @ 50mA, 5V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SOT-523 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 500 mA 100 mA 500 mA
Frequenza - transizione 200 MHz 200 MHz 250 MHz 200 MHz
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-323 SOT-523 SOT-23-3

DDTB122TC-7-F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DDTB122TC-7-F PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DDTB122TC-7-F - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Chg 5/Apr/2021.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 15/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DDTB - LO-R1 - C.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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