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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoDDTA114WCA-7-F
DDTA114WCA-7-F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DDTA114WCA-7-F - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DDTA114WCA-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DDTA114WCA-7-F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DDTA1x3xCA, DDTA1x4xCA.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2283350

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DDTA114WCA-7-F
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DDTA114WCA-7-F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DDTA114WCA-7-F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Tipo transistor PNP - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms  
Resistor - Base (R1) 10 kOhms  
Potenza - Max 200 mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250 MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 24 @ 10mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base DDTA114  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DDTA114WCA-7-F

Proprietà del prodotto DDTA114WCA-7-F DDTA114YCA-7-F DDTA114GCA-7-F DDTA114EUA-7-F
Modello di prodotti DDTA114WCA-7-F DDTA114YCA-7-F DDTA114GCA-7-F DDTA114EUA-7-F
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Resistor - Base (R1) 10 kOhms 10 kOhms - 10 kOhms
Numero di prodotto di base DDTA114 DDTA114 DDTA114 DDTA114
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-323
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms 47 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Tipo transistor PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 24 @ 10mA, 5V 68 @ 10mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Frequenza - transizione 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Serie - DDTA (R1≠R2 SERIES) CA - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA

DDTA114WCA-7-F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DDTA114WCA-7-F PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DDTA114WCA-7-F - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 16/Oct/2020.pdf
PCN Altro
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
Schede tecniche
DDTA1x3xCA, DDTA1x4xCA.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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