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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSS8402DW-7-F
BSS8402DW-7-F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSS8402DW-7-F - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
BSS8402DW-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-BSS8402DW-7-F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
BSS8402DW Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 192660

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSS8402DW-7-F
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - BSS8402DW-7-F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - BSS8402DW-7-F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V  
Potenza - Max 200mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V, 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA, 130mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base BSS8402  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated BSS8402DW-7-F

Proprietà del prodotto BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS8402DW-7-G BSS8402DW-7
Modello di prodotti BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS8402DW-7-G BSS8402DW-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA, 130mA 115mA, 130mA 115mA (Ta), 130mA (Ta) 115mA, 130mA
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V 13.5Ohm @ 500mA, 10V 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel - N and P-Channel
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363 SOT-363 SOT-363 SOT-363
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base BSS8402 BSS8402 - BSS8402
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60V, 50V 60V, 50V 60V, 50V 60V, 50V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V, 45pF @ 25V 50pF @ 25V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 200mW 200mW 200mW (Ta) 200mW
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Standard Logic Level Gate

BSS8402DW-7-F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSS8402DW-7-F PDF e la documentazione Diodes Incorporated per BSS8402DW-7-F - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 3/May/2011.pdf Green Encapsulate Change 09/July/2007.pdf
PCN Altro
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Schede tecniche
BSS8402DW Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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