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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBC857BQ-7-F
BC857BQ-7-F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BC857BQ-7-F - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
BC857BQ-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-BC857BQ-7-F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
BC856AQ – BC857BQ.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 1913700

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche BC857BQ-7-F
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - BC857BQ-7-F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - BC857BQ-7-F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 45 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Potenza - Max 310 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 200MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 15nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base BC857  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated BC857BQ-7-F

Proprietà del prodotto BC857BQ-7-F BC857BMTF BC857BLT1 BC857BLT1G
Modello di prodotti BC857BQ-7-F BC857BMTF BC857BLT1 BC857BLT1G
fabbricante Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA - 650mV @ 5mA, 100mA
Potenza - Max 310 mW 310 mW - 300 mW
Corrente - Cutoff collettore (max) 15nA 15nA (ICBO) - 15nA (ICBO)
Tipo transistor PNP PNP - PNP
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza - transizione 200MHz 150MHz - 100MHz
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 - SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V - 220 @ 2mA, 5V
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 45 V 45 V - 45 V
Numero di prodotto di base BC857 BC857 BC857 BC857
Serie - - * -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA 100 mA - 100 mA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount

BC857BQ-7-F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BC857BQ-7-F PDF e la documentazione Diodes Incorporated per BC857BQ-7-F - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
BC856AQ – BC857BQ.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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