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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaS34MS04G200BHI003
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

S34MS04G200BHI003 - Cypress Semiconductor Corp

fabbricante Modello di prodotti
S34MS04G200BHI003
fabbricante
Cypress Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-S34MS04G200BHI003
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
63-VFBGA
Scheda dati
S34MS01/2/4G2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10320

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche S34MS04G200BHI003
Specifiche tecniche Cypress Semiconductor Corp - S34MS04G200BHI003, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Cypress Semiconductor Corp - S34MS04G200BHI003

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Cypress Semiconductor  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 45ns  
Tensione di alimentazione - 1.7V ~ 1.95V  
Tecnologia FLASH - NAND  
Contenitore dispositivo fornitore 63-BGA (11x9)  
Serie MS-2  
Contenitore / involucro 63-VFBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 4Gbit  
Organizzazione di memoria 512M x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria FLASH  
Numero di prodotto di base S34MS04  
Tempo di accesso 45 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Cypress Semiconductor Corp S34MS04G200BHI003

Proprietà del prodotto S34MS04G200BHI003 S34SL04G200BHI000 S34MS01G200TFI000 S34SL02G200BHI000
Modello di prodotti S34MS04G200BHI003 S34SL04G200BHI000 S34MS01G200TFI000 S34SL02G200BHI000
fabbricante Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Tempo di accesso 45 ns 25 ns 45 ns 25 ns
Tensione di alimentazione - 1.7V ~ 1.95V 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V 2.7V ~ 3.6V
Organizzazione di memoria 512M x 8 512M x 8 128M x 8 256M x 8
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 45ns - 45ns -
Formato di memoria FLASH FLASH FLASH FLASH
Numero di prodotto di base S34MS04 S34SL04 S34MS01 S34SL02
Tecnologia FLASH - NAND FLASH - NAND FLASH - NAND FLASH - NAND
Contenitore / involucro 63-VFBGA 63-VFBGA 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 63-VFBGA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tray Tray Tray
Serie MS-2 SL-2 MS-2 SL-2
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Dimensione della memoria 4Gbit 4Gbit 1Gbit 2Gbit
Contenitore dispositivo fornitore 63-BGA (11x9) 63-BGA (11x9) 48-TSOP 63-BGA (11x9)
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile

S34MS04G200BHI003 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica S34MS04G200BHI003 PDF e la documentazione Cypress Semiconductor Corp per S34MS04G200BHI003 - Cypress Semiconductor Corp.

PCN Design/Specifica
Cylindrical Battery Holders.pdf
Packaging PCN
Ship Label/Document Standardization 24/Jan/2018.pdf Mult Devices 19/Jul/2017.pdf
PCN Altro
2.73KHz.pdf
Schede tecniche
S34MS01/2/4G2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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