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S29GL512P10TFIR10 - Cypress Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
S29GL512P10TFIR10
fabbricante
Cypress Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-S29GL512P10TFIR10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Scheda dati
S29GL-P MirrorBit® Flash Family.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 9990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche S29GL512P10TFIR10
Specifiche tecniche Cypress Semiconductor - S29GL512P10TFIR10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Cypress Semiconductor - S29GL512P10TFIR10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Cypress Semiconductor  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 100ns  
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V  
Tecnologia FLASH - NOR  
Contenitore dispositivo fornitore 56-TSOP  
Serie GL-P  
imballaggio Tray  
Contenitore / involucro 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16)  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria FLASH  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Descrizione dettagliata FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 100ns 56-TSOP  
Tempo di accesso 100ns  

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Proprietà del prodotto S29GL512P10TFIR10 S29GL512P10TFCR10D S29GL512P11FFI010 S29GL512P10TFIR20
Modello di prodotti S29GL512P10TFIR10 S29GL512P10TFCR10D S29GL512P11FFI010 S29GL512P10TFIR20
fabbricante Cypress Semiconductor Infineon Technologies Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp
Descrizione dettagliata FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 100ns 56-TSOP - - -
Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) 512Mbit 512Mbit 512Mbit
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 100ns 100ns 110ns 100ns
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Formato di memoria FLASH FLASH FLASH FLASH
Contenitore / involucro 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 64-LBGA 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Tecnologia FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 56-TSOP 56-TSOP 64-FBGA (11x13) 56-TSOP
Tempo di accesso 100ns 100 ns 110 ns 100 ns
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V 3V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
imballaggio Tray - - -
Serie GL-P GL-P GL-P GL-P
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) - - -

S29GL512P10TFIR10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica S29GL512P10TFIR10 PDF e la documentazione Cypress Semiconductor per S29GL512P10TFIR10 - Cypress Semiconductor.

Specifiche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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