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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPU09P06PL
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPU09P06PL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPU09P06PL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPU09P06PL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO251-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
SPD,SPU09P06PL.pdf
In magazzino: 5130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SPU09P06PL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPU09P06PL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPU09P06PL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore P-TO251-3-1  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 6.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base SPU09P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPU09P06PL

Proprietà del prodotto SPU09P06PL SPU11N10 SPU07N60S5 SPU08P06P
Modello di prodotti SPU09P06PL SPU11N10 SPU07N60S5 SPU08P06P
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 6.8A, 10V 170mOhm @ 7.8A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 300mOhm @ 6.2A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 18.3 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 600 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 21µA 5.5V @ 350µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore P-TO251-3-1 P-TO251-3-1 PG-TO251-3-21 PG-TO251-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numero di prodotto di base SPU09P SPU11N SPU07N SPU08P
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) 50W (Tc) 83W (Tc) 42W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 970 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V
Serie SIPMOS® SIPMOS® CoolMOS™ SIPMOS®
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Tc) 10.5A (Tc) 7.3A (Tc) 8.83A (Ta)

SPU09P06PL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPU09P06PL PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPU09P06PL - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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