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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPS03N60C3
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SPS03N60C3 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
SPS03N60C3
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-SPS03N60C3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
SPS03N60C3.pdf
In magazzino: 4900

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SPS03N60C3
Specifiche tecniche Infineon Technologies - SPS03N60C3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - SPS03N60C3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 135µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO251-3-11  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base SPS03N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies SPS03N60C3

Proprietà del prodotto SPS03N60C3 SPS02N60C3 SPS04N60C3 SPS01N60C3
Modello di prodotti SPS03N60C3 SPS02N60C3 SPS04N60C3 SPS01N60C3
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V
Numero di prodotto di base SPS03N SPS02N - SPS01N
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V
Pacchetto Bulk Tube Bulk Tube
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc) 25W (Tc) 50W (Tc) 11W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO251-3-11 PG-TO251-3-11 PG-TO251 PG-TO251-3-11
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 650 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Tc) 1.8A (Tc) 4.5A (Tc) 800mA (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 135µA 3.9V @ 80µA 3.9V @ 200µA 3.9V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SPS03N60C3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SPS03N60C3 PDF e la documentazione Infineon Technologies per SPS03N60C3 - Infineon Technologies.

Schede tecniche
SPS03N60C3.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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